Press-Pack IGBT
Pres-pack IGBT (IEGT)
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Bilješka:D- sa ddio joda, A-bez diodnog dijela
Konvencionalno, lemljeni kontaktni IGBT moduli su primenjeni u sklopnoj opremi fleksibilnog jednosmernog prenosnog sistema.Paket modula je jednostrano odvođenje topline.Kapacitet snage uređaja je ograničen i nije prikladan za serijski spoj, loš vijek trajanja u slanom zraku, loša zaštita od vibracija ili termički zamor.
Novi tip press-contact pres-pack IGBT uređaj ne samo da u potpunosti rješava probleme praznog mjesta u procesu lemljenja, termičkog zamora materijala za lemljenje i niske efikasnosti jednostranog odvođenja topline, već i eliminira toplinski otpor između različitih komponenti, minimizirati veličinu i težinu.I značajno poboljšati radnu efikasnost i pouzdanost IGBT uređaja.Prilično je pogodan da zadovolji zahtjeve velike snage, visokog napona i visoke pouzdanosti fleksibilnog DC prijenosnog sistema.
Zamjena tipa kontakta za lemljenje pres-packom IGBT je imperativ.
Od 2010. godine, Runau Electronics je razvijen za razvoj novog tipa press-pack IGBT uređaja i naslijedio proizvodnju 2013. Performanse su certificirane nacionalnim kvalifikacijama i vrhunsko dostignuće je završeno.
Sada možemo proizvesti i ponuditi serijski press-pack IGBT IC opsega od 600A do 3000A i VCES opsega od 1700V do 6500V.Sjajna perspektiva pres-pakovanja IGBT proizvedenog u Kini za primjenu u kineskom fleksibilnom DC prijenosnom sistemu se visoko očekuje i postaće još jedna prekretnica svjetske klase kineske industrije energetske elektronike nakon brzog električnog voza.
Kratak uvod u tipični način rada:
1. Način rada: Pres-pack IGBT CSG07E1700
●Električne karakteristike nakon pakiranja i prešanja
● Reversparalelnopovezandioda za brzi oporavakzaključio
● Parametar:
Nazivna vrijednost (25℃)
a.Napon emitera kolektora: VGES=1700（V）
b.Napon emitera vrata: VCES=±20(V)
c.Struja kolektora: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Rasipanje snage kolektora: PC=4440 (W)
e.Radna temperatura spoja: Tj=－20~125℃
f.Temperatura skladištenja: Tstg=－40~125℃
Napomena: uređaj će se oštetiti ako je iznad nominalne vrijednosti
ElektričniCkarakteristike, TC＝125℃，Rth (termička otpornostspoj naslučaj）nisu uključeni
a.Struja curenja na kapiji: IGES=±5(μA)
b.Struja blokade emitera kolektora ICES=250(mA)
c.Napon zasićenja emitera kolektora: VCE(sat)=6(V)
d.Napon praga emitera vrata: VGE(th)=10(V)
e.Vrijeme uključivanja: Ton=2.5μs
f.Vrijeme isključivanja: Toff=3μs
2. Način rada: Pres-pack IGBT CSG10F2500
●Električne karakteristike nakon pakiranja i prešanja
● Reversparalelnopovezandioda za brzi oporavakzaključio
● Parametar:
Nazivna vrijednost (25℃)
a.Napon emitera kolektora: VGES=2500（V）
b.Napon emitera vrata: VCES=±20(V)
c.Struja kolektora: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Rasipanje snage kolektora: PC=4800(W)
e.Radna temperatura spoja: Tj=－40~125℃
f.Temperatura skladištenja: Tstg=－40~125℃
Napomena: uređaj će se oštetiti ako je iznad nominalne vrijednosti
ElektričniCkarakteristike, TC＝125℃，Rth (termička otpornostspoj naslučaj）nisu uključeni
a.Struja curenja na kapiji: IGES=±15(μA)
b.Struja blokade emitera kolektora ICES=25(mA)
c.Napon zasićenja emitera kolektora: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Napon praga emitera vrata: VGE(th)=6.3(V)
e.Vrijeme uključivanja: Ton=3.2μs
f.Vrijeme isključivanja: Toff=9.8μs
g.Dioda Napon naprijed: VF=3,2 V
h.Vrijeme povratnog oporavka diode: Trr=1,0 μs
3. Način rada: Pres-pack IGBT CSG10F4500
●Električne karakteristike nakon pakiranja i prešanja
● Reversparalelnopovezandioda za brzi oporavakzaključio
● Parametar:
Nazivna vrijednost (25℃)
a.Napon emitera kolektora: VGES=4500(V)
b.Napon emitera vrata: VCES=±20(V)
c.Struja kolektora: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Rasipanje snage kolektora: PC=7700(W)
e.Radna temperatura spoja: Tj=－40~125℃
f.Temperatura skladištenja: Tstg=－40~125℃
Napomena: uređaj će se oštetiti ako je iznad nominalne vrijednosti
ElektričniCkarakteristike, TC＝125℃，Rth (termička otpornostspoj naslučaj）nisu uključeni
a.Struja curenja na kapiji: IGES=±15(μA)
b.Struja blokiranja emitera kolektora ICES=50(mA)
c.Napon zasićenja emitera kolektora: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Napon praga emitera vrata: VGE(th)=5,2 (V)
e.Vrijeme uključivanja: Ton=5.5μs
f.Vrijeme isključivanja: Toff=5.5μs
g.Dioda Napon naprijed: VF=3,8 V
h.Vrijeme povratnog oporavka diode: Trr=2,0 μs
Bilješka:Pres-pack IGBT je prednost u dugotrajnoj visokoj mehaničkoj pouzdanosti, visokoj otpornosti na oštećenja i karakteristikama press spojne strukture, pogodan je za upotrebu u serijskom uređaju, a u poređenju sa tradicionalnim GTO tiristorom, IGBT je metoda naponskog pogona .Zbog toga je jednostavan za rukovanje, siguran i širok radni opseg.